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三极管和场效应管引脚一肖中特公式
更新时间:2020-01-25

  放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上,在发射集和集电极之间以Vce的方式输出;还可以把基极

  原件要比晶体管小得多。晶体管就是一个小硅片。但是场效应管的结构要比晶体管的要复杂。场效应管的沟道一般是几个纳米,也就是说场效应管的“硅片”的制作更加复杂而且体积要比晶体管小的多。但是话又说回来。工业制造场效应管的集成电路要比晶体管的要简单得多。而且集成密度要比晶体管的要大得多。场效应管是电压控制电流的晶体管是电流控制电流型的。一般不可以直接代换的。除非稍微改变一下电路结构。

  乍一看,场效应管和三极管的封装差不多,很多时候都是一一对应的关系。比如:三极管不论是PNP还是NPN型,功率稍大的基本上都是BCE排布,而功率场效应管是GDS排布,G(栅极)和B(基极)对应控制端,C(集电极)和D(漏极)对应,E(发射极)和S(源极)对应。

  从电气图来看,两者是很相似的;当然两者最大的区别在于三极管为流控器件,而场效应管为压控器件。

  对于NPN型三极管,只要记住“集电极反偏,发射极正偏”;对于NMOS,当Vgs》Vt时,DS导通,反之截止。

  图10示出了最常见的管子引脚排列法。近年来如图ll所示的引脚捧列法管子也逐渐增多,应用时必须搞清.吃不准时应查晶体管手册或用

  明确需用的额定电压,正版香港挂牌彩图挂牌他才发明船上不人,或是电子元件能够承载的最高电压。额定电压越大,电子元件的成本就越高。118挂牌彩图主动更新图”“吉格斯曾发短信给我。按照实践证明...

  三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。场效应管是单极型管子,即管子工作...

  一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而...

  三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管...

  接通电源时,由于电容C3两端电压为零,场效应管VT处于截止状态,继电器KA释放,延时开始。同时电源E...

  漏源击穿电压BUDS。也称漏源耐压值,是当场效应管的漏源电压UDS增大到一定数值时,使漏极电流ID突...

  场效应管和BJT三极管虽同为半导体放大器件,却比三极管有很多优点,比如输入电阻很高,对信号源几乎不...

  N沟道结型场效应三极管的结构如图1所示,它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结...

  图中R1作用是Q2的基极限流;R3作用是泄放掉关断状态时基极电荷,让Q2在低电平时保持截止状态;R...

  当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反...

  共集电极放大器由于它的输入阻抗大,输出阻抗小这一特点,主要用在放大系统中起隔离作用,比如说做多级放大...

  共射放大电路是低频电路中很常用的一种,在记公式的时候有的书上又分为发射极加电阻和不加电阻,其实也可合...

  三极管可以工作在三个状态,分别是:截止状态、饱和状态和放大状态。其中截止和饱和状态通常应用在数字电路...

  先将三极管除基极外的另外两个管脚分别假设为集电极和发射极,用万用表R×1K档,将黑表笔接假设的集电极...

  如果在单片机系统中出现三极管时,那么该三极管大多数甚至几乎全部情况下都会处于开-关状态。因为单片机输...

  电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术...

  如果使用万用表进行正负极测量时,万用表的红色笔碰触应为二极管正极,而黑色笔则放在二极管负极,该测量结...

  由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高,这本来是它的优点,但在使用上却带来新的问题。由于输入阻抗高,当带...

  用模拟开关芯片(ADG442BRZ)直接驱动继电器电路 在电子爱好者认识电路知识的的习惯中,总认为...

  三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口...

  电子开关是指利用电子电路以及电力电子器件实现电路通断的运行单元,至少包括一个可控的电子驱动器件,如晶...

  触摸式延时开关电路虚线右面是普通照明线路,左部是电子开关部分。VD1~VD4、VS组成开关的主回路,...

  在小功率无线产品射频开关电路设计中,我们常常选用CMOS,GaAs,SOI等工艺的射频器件,其外围电...

  在Allegro中,有这样一种情况:一个dra封装已经创建完成,但是不小心排错了引脚顺序,需要修改为...

  我们选取的上拉电阻为10k,这个数值的原因是什么呢?如果纸张被拿掉的时候,红外LED发射过来,传感器...

  如果信号电平为低时,Id上有电流,Ic是导通的,输出电位为12伏。如果信号电平为12伏,则Id上不会...

  在圣诞节快到来时,自己动手制作一个别具一格的声控音乐圣诞树,把它放在写字台上或赠送给别人,那是一件多...

  三极管有哪些分类以及其特性和作用;然后,我们学习设计三极管作为温度开关时的开关电路。

  首先,我们介绍设计寄生电容对三极管产生的影响;然后,我们学习上拉电阻和下拉电阻的含义以及在电路中的使...

  首先,我们了解在开关电路中电容的作用;然后,我们调整上拉电阻和下拉电阻的布局以及选型,使开关达到断开...

  我们了解在开关电路中滤波电容的作用及对电压的影响;然后,我们设计开关电路。

  我们需要了解P型三极管处于放大区是不能作为开关使用的;然后,我们考虑电路中元件的布局,下拉电阻的接线

  信息优势和特点 双通道8位DAC、采用24引脚TSSOP封装 低功耗:600 µA (5 V),500 µA (3 V) 关断模式的功耗:200 nA (5 V)、80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C至105°C产品详情AD5334/AD5335/AD5336/AD5344分别是四通道、8/10/12位DAC,均采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅500 µA,并具有掉电模式,使功耗降至80 nA。这些器件均内置一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨。产品特色 提供24引脚TSSOP封装 低功耗、采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW、5 V时功耗为3 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 可编程输出范围(通过GAIN引脚): 0 至 VREF 或 0 至 2VREF...

  信息优势和特点 双通道10位DAC、采用24引脚TSSOP封装 低功耗:300 µA (5 V),230 µA (3 V) 关断模式的功耗:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C至105°C产品详情AD5332/AD5333/AD5342/AD5343分别是双通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅230 µA,具有一个省电引脚PD,可使功耗降至80 nA。这些器件均集成一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨;而AD5333和AD5342允许选择缓冲或无缓冲基准电压输入。产品特色 提供24引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.69 mW,5 V时功耗为1.5 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 允许选择缓冲/无缓冲基准电压输入 可编程输出范围(通过GAIN引脚):0-VREF或0-2VREF...

  信息优势和特点 双通道8位DAC、采用20引脚TSSOP封装 低功耗:300 µA (5 V),230 µA (3 V) 关断模式的功耗:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C至105°C 产品详情AD5332/AD5333/AD5342/AD5343分别是双通道、8/10/12位DAC,均采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅230 µA,并具有一个关断引脚PD,使功耗降至80 nA。这些器件均集成一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨;而AD5333和AD5342允许选择缓冲或无缓冲基准电压输入。产品特色 提供20引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.69 mW,5 V时功耗为1.5 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨...

  信息优势和特点 4个12位DAC,采用10引脚MicroSOIC封装 低功耗:600 µA (5 V),500 µA (3 V) 关断模式的功耗:200 nA(5 V),80 nA(3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 三种关断功能 双缓冲输入逻辑 输出范围:0 V至VREF 双线C™兼容)串行接口 数据回读设置;软件清零设置 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 温度范围:-40 °C至105 °C产品详情AD5305/AD5315/AD5325分别是四通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚microSOIC封装,采用2.5 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为500µA。这些器件内置片内输出放大器,能够提供轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/µs。所用的双线 kHz时钟速率工作。当VDD 3.6 V时,此接口为SMBus兼容。多个器件可以共用同一总线引脚MicroSOIC封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW,5 V时功耗为3 mW 轨到轨输出,压摆率为0.7 V/µs 多个器件可以共用同一总线 基准电压从电源获得 串行接口,时钟速率最高达400 kHz 与AD5305(8位)和AD5315(10位)引脚兼容、软件...

  信息优势和特点 4个缓冲10位DAC,提供10引脚MSOP和10引脚LFCSP封装A级积分非线 LSB,B级积分非线 LSB 低功耗工作:500 µA (3 V),600 µA (5 V) 采用2.5 V至5.5 V电源供电 通过设计对所有代码保证单调性 省电模式:80 nA (3 V),200 nA (5 V) 双缓冲输入逻辑 输出范围:0 V至VREF 上电复位至0 V 同时更新各输出 (LDAC 功能) 低功耗,SPI®、QSPI™、MICROWIRE™、DSP兼容三线式串行接口 片内轨到轨输出缓冲放大器 温度范围:–40°C至+105°C产品详情AD5304/AD5314/AD5324分别是四通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚MSOP和10引脚LFCSP封装,采用2.5 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为500 µA。这些器件内置片内输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/µs。所用的三线 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI、QSPI、MICROWIRE、DSP接口标准兼容。四个DAC的基准电压均从一个基准电压引脚获得。利用软件/LDAC功能则可以同时更新所有DAC的输出。上述器件均内置一个上电复位电...

  信息优势和特点 256位、4通道 端到端电阻:20 kΩ、50 kΩ、200 kΩ 引脚可选的SPI®或 I2C®兼容型接口 上电预设为中量程 两个封装地址解码引脚AD0和AD1 温度系数(变阻器模式):30 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C 宽工作温度范围:–40°C至+125°C 10 V至15 V单电源或±5 V双电源产品详情AD5263是业界首款提供可选数字接口的四通道、256位数字电位计1 ,它可实现与机械电位计或可变电阻相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。在A端与游标或B端与游标之间,AD5263的各通道均提供一个完全可编程电阻值。A至B固定端接电阻(20 kΩ、50 kΩ或200 kΩ)的标称温度系数为±30 ppm/°C,通道间匹配容差为±1%。一肖中特公式另外,该器件可采用+4.5 V至+15 V或±5 V电源供电。系统上电时,游标位预设为中量程。上电后,VR游标位可通过三线C兼容型接口进行编程设置。I2C模式下,用户可以利用附加可编程逻辑输出,驱动其系统中的数字负载、逻辑门和模拟开关。AD5263采用24引脚窄体TSSOP封装,保证工作温度范围为–40°C至+125°C汽车应用温度范围。对于单通道或双通道应...

  信息优势和特点 两个12位DAC,采用28引脚TSSOP封装 低功耗:600 µA (5 V),500 µA (3 V) 省电模式:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C 至105°C 产品详情AD5334/AD5335/AD5336/AD5344分别是四通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅500 μA,省电模式下功耗可降至80 nA。这些器件均内置一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨。产品聚焦 提供28引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW,5 V时功耗为3 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨...

  信息优势和特点 两个12位DAC,采用28引脚TSSOP封装 低功耗:300 µA (5 V),230 µA (3 V) 省电模式:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C 至105°C 产品详情AD5332/AD5333/AD5342/AD5343分别是双通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅230 μA,具有一个省电引脚PD,可使功耗降至80 nA。这些器件均集成一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨;而AD5333和AD5342允许选择缓冲或无缓冲基准电压输入。       产品聚焦 提供28引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.69 mW,5 V时功耗为1.5 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 允许选择缓冲/无缓冲基准电压输入 可编程输出范围(通过GAIN引脚):0至VREF 或0至2VREF...

  信息优势和特点 两个12位DAC,采用20引脚TSSOP封装 低功耗:300 µA (5 V),230 µA (3 V) 省电模式:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:-40°C 至105°C 产品详情AD5332/AD5333/AD5342/AD5343分别是双通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅230 μA,具有一个省电引脚PD,可使功耗降至80 nA。这些器件均集成一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨;而AD5333和AD5342允许选择缓冲或无缓冲基准电压输入。产品聚焦 提供20引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.69 mW,5 V时功耗为1.5 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 8位并行接口用于高字节和低字节载入(通过HBEN引脚控制)...

  信息优势和特点 双通道10位DAC、采用28引脚TSSOP封装 低功耗:600 µA (5 V),500 µA (3 V) 关断模式的功耗:200 nA (5 V)、80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围: -40°C 至 105°C产品详情AD5334/AD5335/AD5336/AD5344分别是四通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅500 µA,省电模式下功耗可降至80 nA。这些器件均内置一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨。产品特色 提供28引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW,黄大仙二元中特699.cc5 V时功耗为3 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 可编程输出范围(通过GAIN引脚): 0至VREF 或 0至2VREF...

  信息优势和特点 双通道10位DAC、采用24引脚TSSOP封装 低功耗:600 µA (5 V),500 µA (3 V) 关断模式的功耗:200 nA (5 V),80 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 双缓冲输入逻辑 通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 通过CLR引脚(低电平有效)提供异步清零设置 低功耗并行数据接口 温度范围:--40°C 至105°C产品详情AD5334/AD5335/AD5336/AD5344分别是四通道、8/10/12位DAC,采用2.5 V至5.5 V电源供电,3 V时功耗仅500 µA,省电模式下功耗可降至80 nA。这些器件均内置一个片内输出缓冲,可将输出同时驱动至两个供电轨。产品特色 提供24引脚TSSOP封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为1.5 mW,5 V时功耗为3 mW 片内输出缓冲可将输出同时驱动至两个供电轨 8位并行接口用于高字节和低字节载入(通过HBEN引脚控制)...

  信息优势和特点 低功耗、四通道16位DAC 14引脚 TSSOP 1.25 V/2.5 V、5 ppm/°C片内基准电压源 关断模式下的功耗:400 nA (5 V),200 nA (3 V) 2.7 V至5.5 V电源 通过设计保证单调性 上电复位至零电平或中间电平 3种关断功能 欲了解更多特性,请参考数据手册AD5666-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载AD5666-EP数据手册 军用温度范围(−55℃至+125℃) 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/14626 DSCC图纸号产品详情AD5666是一款低功耗、四通道、16位缓冲电压输出DAC,采用2.7 V至5.5 V单电源供电,通过设计保证单调性。AD5666内置一个片内基准电压源,内部增益为2。AD5666-1内置一个1.25 V、5 ppm/°C基准电压源,满量程输出可达到2.5 V;AD5666-2内置一个2.5 V、5 ppm/°C基准电压源,满量程输出可达到5 V。上电时,片内基准电压源关闭,因而可以用外部基准电压源。对DAC执行写操作将打开内部基准电压源。上述器件内置一个上电复位电路,确保DAC输出上电至0 V(POR引脚低电平)或中间电平(POR引脚高电平)并保持该电平,直到执行一次有...

  信息优势和特点 4个缓冲8位DAC,提供10引脚MSOP和10引脚LFCSP封装A级积分非线 LSB,B级积分非线 LSB INL 低功耗工作:500 µA (3 V),600 µA (5 V) 2.5 V至5.5 V电源 通过设计对所有代码保证单调性 省电模式功耗:80 nA (3 V),200 nA (5 V) 双缓冲输入逻辑 输出范围:0 V至VREF 上电复位至0 V 同时更新各输出(LDAC功能) 低功耗,SPI®、QSPI™、MICROWIRE™、DSP兼容三线式串行接口 片内轨到轨输出缓冲放大器 温度范围:–40°C至+105°C产品详情AD5304/AD5314/AD5324分别是四通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚MSOP和10引脚LFCSP两种封装,采用2.5 V至5.5 V单电源供电,3 V时功耗为500 µA。这些器件内置片内输出放大器,能够实现轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/µs。所用的三线 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI、QSPI、MICROWIRE、DSP接口标准兼容。四个DAC的基准电压均从一个基准电压引脚获得。利用软件LDAC功能则可以同时更新所有DAC的输出。上述器件均内置一个上电复位电...

  信息优势和特点 一个封装中集成两个8位DAC 微功耗:300 µA(5 V,包括基准电流) 省电模式:200 nA (5 V),50 nA (3 V) 通过设计保证单调性 上电复位至0 V 可选缓冲/无缓冲基准电压输入 输出电压:0-VREF 低功耗,SPI™、QSPI™、MICROWIRE™、DSP兼容三线式串行接口 采用轨到轨方式工作的输出缓冲放大器,通过LDAC引脚(低电平有效)同时更新DAC输出 温度范围:-40°C至105°C 三种关断功能产品详情AD5302/AD5312/AD5322分别是双通道8/10/12位、缓冲电压输出DAC,提供10引脚mSOIC封装,采用+2.5 V至+5.5 V单电源供电,3 V时功耗为230 mA。这些器件内置片内输出放大器,能够提供轨到轨输出摆幅,压摆率为0.7 V/ms。AD5302/AD5312/AD5322采用多功能三线式串行接口,能够以最高30 MHz的时钟速率工作,并与标准SPI™、QSPI™、MICROWIRE™、DSP接口标准兼容。产品特色 提供10引脚MicroSOIC封装 低功耗,采用2.5 V至5.5 V单电源供电 3 V时功耗为0.7 mW,5 V时功耗为1.5 mW 微分非线 LSB 轨到轨输出,压摆率为0.7 V/µs 采用多功能三线式串行接口,...


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